6分钟前 武汉DFB激光器来电垂询「沐普科技」[沐普科技1b75b01]内容:当前,DFB激光器芯片技术基本上由德国、美国、日本等发达国家掌握,比如德国Nanoplus、Sacher、Eagleyard、Toptica公司,美国Thorlabs、EM4、Power Technology、Sarnoff公司,日本NTT、Oclaro等公司。厂商非常多,但能够实现商业化生产的厂家并不多,主要有Nanoplus、Eagleyard、NTT、Thorlabs等几家公司。国内还没有成熟的DFB芯片生产技术,由于成品率低基本上没有形成商业化,国内生产的DFB激光器主要是基于对国外芯片的封装生产,主要表现为对通讯波段的生产和应用。
气体探测器使用TDLAS(可调谐二极管激光吸收光谱)发射激光来探测气体。气体分子具有独l特的红外吸收谱线。气体传感器将波长与气体吸收线匹配的激光通过气体进行测量,并高速调制驱动电流以扫描波长。然后,气体传感器测量透射光强度以测量单个独立吸收光谱,从而执行l气体检测。DFB半导体激光器的波长需要与吸收线相匹配,振荡线宽需要比吸收线窄,因此是气体传感器的选择。甲l烷气体的吸收光谱如下所示。由于1653nm吸收光谱具有足够的吸收强度,且附近没有其它气体吸收光谱,因此通常采用TDLAS法进行l气体检测。
一般情况下,半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是,半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加,目前,很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA,需要改进封装结构,全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外,在应用设计中,PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。