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净化工程技术对半导体和集成电路生产的意义：

半导体材料的提纯是半导体器件发展的重要基础。由于大规模和超大规模集成电路的工艺要求，为了获得高纯度的硅材料，原料和中间介质的高纯度以及生产环境的洁净度成为影响产品质量的突出问题。IC芯片的良率与芯片的缺陷密度有关，芯片的缺陷密度与空气中的颗粒数有关。因此，随着集成电路的快速发展，不仅要控制空气中粒子的大小，还要进一步控制粒子的数量。

硅片直径为100um，温升1度，上升0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，湿度也要求值一般较低，因为人在出汗，产品会有污染，特别怕大半导体车间，车间温度不应超过25度，湿度高的问题较多。当相对湿度超过55％时，冷却水管壁会结露，如果在精密设备或电路中发生，会引起各种事故。当相对湿度为50％时，容易生锈。

净化工程-乱流洁净室原理　净化工程乱流洁净室的主要特点是一次流到出口（从送风口到回风口）的气流流动截面发生变化。洁净室的横截面要比送风口大得多，因此在整个房间横截面或整个房间工作截面都不能形成均匀的气流。因此，送风口后的流线有较大或较大的角度，曲率半径较小。室内的气流不能单向流动，而是会相互碰撞，产生回流和涡流。这就决定了湍流洁净室的流动状态本质上是:突然流动;非均匀流。

障碍物会使单向流变成湍流，从而在障碍物周围形成气团。　人类的运动也会使单向流动产生湍流。在这些湍流中，由于风速较低，空气的稀释程度较低，导致污染浓度较高。因此，净化工程风速必须保持在0.3m/s~0.5m/s（60ft/min~100ft/min）的范围内，以便中断的单向流能够迅速恢复，并充分稀释障碍物周围湍流区的污染。单向流可以用风速来正确表示，因为风速越高，房间越干净。而每小时换空气的次数与房间的容积有关，比如吊顶的高度，所以不适合单向流动。单向室的空气体积是紊流室的许多倍（10到100倍）。