轨压传感器是由硅膜片、电桥、放大电路三部分组成。当轨内的压力导致硅膜片形状变化时（近似于在150MPa时1mm），连接于膜片的电阻层阻值也将改变，改变的电阻值将引起通过5V电桥（慧斯登电桥）输出端电压变化，通过放大电路的处理，使新号端输出的电压在0-5V之间变化，ECU便根据此电压计
轨压传感器是由硅膜片、电桥、放大电路三部分组成。当轨内的压力导致硅膜片形状变化时（近似于在150MPa时1mm），连接于膜片的电阻层阻值也将改变，改变的电阻值将引起通过5V电桥（慧斯登电桥）输出端电压变化，通过放大电路的处理，使新号端输出的电压在0-5V之间变化，ECU便根据此电压计
为满足纳米级电子束曝光系统的要求，系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用机控制。机通过图形发生器和数模转换电路去驱动等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。
曝照所需电子束是由既有的产生的电子束(离子束)提供。
电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描与矢量扫描。
扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。
(三) 阻剂(光阻)
阻剂是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料的特性，再经过显影后，曝照(负阻剂)或未曝照(正阻剂)的区域将会留在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。