压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
压电陶瓷与石英晶体不同,前者是人工制造的多晶体压电材料,而后者是单晶体。压电陶瓷在未进行极化处理时,不具有压电效应;经过极化处理后,它的压电效应非常明显,具有很高的压电系数,为石英晶体的几百倍。
压电陶瓷与石英晶体不同,前者是人工制造的多晶体压电材料,而后者是单晶体。压电陶瓷在未进行极化处理时,不具有压电效应;经过极化处理后,它的压电效应非常明显,具有很高的压电系数,为石英晶体的几百倍。BaTiO是早发现的压电陶瓷,早在1949年日本就研究利用它的压电性设计鱼群探测器,其缺点是谐频温度特f生差。锆钛酸铅压电陶瓷简称 PZT陶瓷,是压电陶瓷材料中用得广的一种。PZT的机电耦合系数高,温度稳定性好,并且有较高的居里温度(一300℃)。用 Sr、ca、Mg等元素部分地取代 PZT中的 Pb,或者是通过添加Nb、La、Sb、Cr、Mn等元素来改性,可以制成许多不同用途的PZT型压电陶瓷,如 PZT一4、PZT一5、PZT-6、PZT一7和 PZT一8等。气体流量传感器按工作原理可分为应变式、压电式、压阻式、电感式、电容式、光电式、电阻、电容、电感、电压、霍尔、光电、光栅、热电偶等气体流量传感器。PZT陶瓷的出现,是压电陶瓷发展新的里程碑,其大大提高了压电陶瓷的性能并扩大了其应用范围。除了 PZT之外,二元系压电陶瓷还有(Pb,Ba)NbO3、(Na,K)NbO3和(Na,Cd)NbO3等 ,都是 比较适用的压电材料。